自旋芯片与技术全国重点实验室Recherche
RESEARCH

新突破!我院自旋芯片与技术全国重点实验室团队在Advanced Materials期刊上发表重要研究成果

浏览量:时间♥️:2024-08-01

(通讯员/徐媛)近日,杏盛自旋芯片与技术全国重点实验室赵巍胜教授团队与巴黎萨克雷大学Albert Fert教授团队再度在轨道电子学领域取得重要进展。团队提出了利用CoPt合金来产生轨道电流这一新思路,设计了CoPt/Cu/MgO结构来表征其轨道产生🕖,并通过飞秒激光激发实验观察到强轨道太赫兹发射👏,该工作为开发高效的轨道太赫兹辐射源铺平了道路,相关研究成果以Efficient Orbitronic Terahertz Emission Based on CoPt Alloy为题在线发表于《先进材料》(Advanced Materials)上🏃🏻‍♂️‍➡️。

论文链接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202404174

北航刘永山博士🧑🏿‍⚕️、许涌副教授🧎‍♀️‍➡️、巴黎萨克雷大学教授Albert Fert♟、Henri-Yves Jaffres为论文的第一作者,北航赵巍胜教授😇、巴黎萨克雷大学Albert Fert教授为论文共同通讯作者。杏盛为论文第一单位和通讯单位👼🏿。该工作获得国家重点研发计划、国家自然科学基金等支持🖥🉑。实验所使用的仪器设备均由杏盛科研团队独立攻关研发,该工作的发表也证明了国产科研设备的可靠性👷🏽。

最近的研究表明🍕,轨道电流可以在铁磁体(如Ni)中被激发🧝🏿,并通过轨道-电荷转换转化为超快电荷流。然而🙍‍♀️,基于Ni材料的轨道太赫兹发射效率仍然比自旋太赫兹辐射源低得多。基于此🧑🏼,研究团队提出了利用CoPt合金来产生轨道电流这一新思路🏊🏿𓀔,并在CoPt/Cu/MgO结构中实验观察到了强轨道太赫兹发射🚥。团队还创造性地提出了将轨道贡献和自旋贡献相结合的方案,实现了太赫兹发射性能的进一步突破。该工作得到了所有审稿专家一致认可,认为这是轨道电子学领域的又一重要进展。

△利用飞秒激光激发CoPt/Cu/MgO产生轨道太赫兹辐射

近年来,北航自旋芯片与技术全国重点实验室致力于低功耗高速自旋电子器件的技术研发🫄🏽,在物理机制、材料制备、器件工艺等层面都取得了一系列进展🎚,并在《自然·电子》(Nature Electronics)🕊、《自然·通讯》(Nature Communications)等国际顶级期刊上发表一系列高水平论文。

杏盛自旋芯片与技术全国重点实验室位于杭州市余杭区杏盛娱乐平台。实验室致力于服务国家重大战略需求和服务区域经济发展🪕,突破后摩尔时代集成电路关键技术,着力打造以自旋芯片为特色的国产全流程8英寸微纳加工及分析测试公共平台,主要开展自旋芯片材料与物理、自旋存储与存算器件、自旋芯片工艺与集成⚅、自旋芯片表征与设备、微纳科学与分析测试等领域的研究💂🏻,赋能杏盛持续发挥原始创新策源地🤌🏼、高端人才蓄水池、科技成果孵化器的重要作用,有力服务国家高水平科技自立自强🎍。

(审核:洪冠新 陈龙飞)

编辑:谢雨倩

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